上游 · 磷化铟 (InP)

环节定位

磷化铟（Indium Phosphide，InP）是 EML / DFB / VCSEL 等高速光芯片的衬底基础材料。光通信产业链的最上游、技术门槛最高、扩产周期最长的环节。全球 InP 晶圆产能扩不动——工艺难度极高、单晶生长良率低、厂商集中、6 寸→8 寸过渡缓慢，是 200G+ EML 海外产能预订满至 2027 的根本原因。

一、技术与产业链位置

flowchart TB
    subgraph Material["材料层"]
        Indium[铟金属<br>稀有金属]:::material
        Phos[磷材料]:::material
    end
    subgraph Substrate["衬底层"]
        Crystal[InP 单晶生长<br>VGF/LEC 工艺]:::sub
        Wafer[InP 晶圆<br>2/3/4/6 寸]:::sub
    end
    subgraph Epi["外延层"]
        Epi1[MOCVD 外延<br>InGaAs/InGaAsP]:::epi
    end
    subgraph Device["器件层"]
        EML[EML / DFB / VCSEL]:::dev
    end
    Indium --> Crystal
    Phos --> Crystal
    Crystal --> Wafer --> Epi1 --> EML
    classDef material fill:#fde2e2,stroke:#dc2626;
    classDef sub fill:#fef3c7,stroke:#d97706,stroke-width:3px;
    classDef epi fill:#dcfce7,stroke:#16a34a;
    classDef dev fill:#e8f4fd,stroke:#2563eb;

工艺难点

单晶生长：液封提拉法（LEC）/ 垂直梯度凝固法（VGF），单根晶棒数公斤
晶片切割：低损伤切片，单晶圆良率受切割影响
缺陷密度：直接决定后续 EML 量产良率
6→8 寸过渡缓慢：全球主流 InP 晶圆仍是 4/6 寸，硅 wafer 已 12 寸

二、竞争格局

全球供应

公司	国家	卡位
住友电工 / Sumitomo Electric	日本	全球 InP 衬底主供，含光芯片自产
AXT	美国 / 中国（北京通美晶体子公司）	主要 InP 商业衬底供应
JX Metals	日本	InP 衬底中游
国晶 / 稼祥光电	中国	国产 InP 衬底突破中

国内追赶

公司	卡位
稼祥光电	国产 InP 衬底民营龙头
国晶	中国电科系，化合物半导体
云南锗业	通过参股 / 关联布局光芯片产业链上游材料

三、关键投研议题

议题 1：InP 衬底是 200G+ EML 的根本瓶颈

Lumentum 等海外光芯片巨头声称订单积压至 2027 年，根因是 InP 衬底产能扩不动。即使光芯片厂自己想扩产，也受制于上游衬底供应。这一约束传导到 A 股光模块厂的 200G EML 进口供应。

议题 2：国产 InP 衬底是国产光芯片闭环的最后一块拼图

源杰科技 / 长光华芯的 IDM 全流程仍依赖海外 InP 衬底。若国产 InP 衬底实现 6 寸量产，会显著增强国产光芯片厂的产能弹性与抗风险能力。

议题 3：6→8 寸过渡是长期机会

硅光模块 12 寸成熟，InP 衬底 4/6 寸是结构性差距。若有厂商率先实现 8 寸 InP 量产，单 wafer 产出激光器数量可翻倍，对降本意义重大。

四、跟踪指标

海外 InP 衬底交期 — 4 周 / 8 周 / 16 周变化
国产 InP 6 寸量产时点 — 国晶 / 稼祥关键里程碑
InP 8 寸晶圆研发突破 — 颠覆性事件
源杰科技 / 长光华芯 InP 衬底来源结构变化 — 国产渗透率代理指标

五、相关页面

涉及公司

源杰科技 · 长光华芯 · 云南锗业 · Lumentum · Coherent

相邻环节

上游_EML激光器 · 上游_CW光源 · 上游_DFB · 上游_VCSEL

相邻概念

硅光（GaAs / 硅基对比）

六、来源

Lumentum 公开财报 + 光芯片订单积压至 2027 年口径
源杰科技_机构研报_投资逻辑上游分析
云南锗业_机构调研_投研概览
行业公开资料：住友电工年报、AXT 财报